簡易檢索 / 詳目顯示
| 研究生： |
杜思谷 Du, Su-Ku |
|---|---|
| 論文名稱： |
砷化鎵/砷化鎵鋁-不對稱雙量子井的光學研究 Optical Properties of an Asymmertric GaAs/AlGaAs Double Quantum Wells |
| 指導教授： |
陸健榮
Lu, Chien-Rong |
| 學位類別： |
碩士 Master |
| 系所名稱： |
物理學系 Department of Physics |
| 畢業學年度： | 82 |
| 語文別： | 中文 |
| 論文頁數： | 70 |
| 中文關鍵詞： | 光調反射;電調反射;雙量子井;內建電場;Ⅲ-Ⅴ複合半導體;子能階躍遷 |
| 英文關鍵詞： | photoreflectance;electroreflectance;double quantum wells; |
| 論文種類： | 學術論文 |
| 相關次數： | 點閱：123 下載：0 |
| 分享至: |
| 查詢本校圖書館目錄 查詢臺灣博碩士論文知識加值系統 勘誤回報 |
我們以光調制光譜(Photoreflectance/PR)及電場調制光譜
(Electroreflectance/ER)來研究GaAs/AlGaAs不對稱雙量子井
(Asymmertric Double Quantum Wells)。實驗樣品由兩個寬度分別為
40nm及10nm的GaAs量子井，中間間隔一個4nm的AlGaAs位壘所形成，整個
雙量子井結構並被夾於兩個50nm有Si δ-doped(2x10^11 cm^-2)的AlGaAs
位壘中。實驗的光譜圖中包含了不同物理機制所造成的譜線。我們將藉由
譜線的擬合與分析，得到量子井內能階躍遷值及內建電場的大小，並與理
論模型計算的結果相比較。
Electroreflectance (ER) and Photoreflectance (PR)
spectroscopies have been used to study an GaAs/AlGaAs
asymmetric double quantum wells. Two GaAs wells (40nm and 10nm)
were separated by a 4nm AlGaAs barrier, and sandwitched between
two 50nm Si δ-doped (2x10^11 cm^-2) AlGaAs barriers. The
experimental spectrum consists of various interband transition
features. Experimental spectra were fitted to calculated
lineshapes to extract correct interband transition energies and
the internal electric field, then compared to theoretical
results.
Electroreflectance (ER) and Photoreflectance (PR)
