簡易檢索 / 詳目顯示

回結果列表
研究生： 梁伯維
論文名稱： 懸浮石墨烯奈米元件製作與量測
指導教授： 江佩勳
Jiang, Pei-hsun
陳啟東
Chen, Chii-Dong
學位類別： 碩士
Master
系所名稱： 物理學系
Department of Physics
論文出版年： 2014
畢業學年度： 102
語文別： 中文
論文頁數： 37
中文關鍵詞： 石墨烯 、奈米元件 、懸浮元件 、電晶體
論文種類： 學術論文
相關次數： 點閱：106  下載：5 
分享至:
查詢本校圖書館目錄 查詢臺灣博碩士論文知識加值系統 勘誤回報

    • 石墨烯具極高的載子遷移率，可望成為與矽互補的明星材料。本實驗發展了一種懸浮石墨烯元件的製作方法，利用金屬鉻作為支撐層來轉移石墨烯,取代傳統的 PMMA 轉移方法，並製作多種尺寸的石墨烯電晶體，可以利用側閘極電壓改 變元件的載子密度。其中300 nm 寬 100 nm 長的石墨烯元件，表現了大尺寸的石墨烯的傳輸性質；60 nm 寬 80 nm 長的石墨烯元件，顯示源極與汲極端偏壓變化會改變汲極端的傳輸特性；50 nm 長 6 nm 寬的石墨烯元件，表現了傳統半金氧場效電晶體的性質，其低溫下的電流開關比可到 600，並顯現出因寬度侷限而打開的能隙。

    口試委員會審定書 # 誌謝 i 摘要 ii CONTENTS iii LIST OF FIGURES v Chapter 1 簡介 1 1.1 基本觀念 1 1.2 石墨烯的能帶結構 5 Chapter 2 樣品製作 7 2.1 化學氣相沉積法 9 2.2 光學微影技術 9 2.3 熱蒸鍍系統 10 2.4 掃瞄式電子顯微鏡（Scanning Electron Microscope (SEM)）: 11 2.5 電子束微影技術 13 2.6 耦合電漿蝕刻（inductively coupled plasma（ICP）） 13 2.7 銅箔上的石墨烯轉移至元件的方法 16 2.8 電子束裁切 19 Chapter 3 實驗結果 22 3.1 層數的分析-拉曼光譜 22 3.2 載子密度的分析-霍爾效應 24 3.3 300 nm寬100 nm長的懸浮石墨烯元件性質量測 25 3.4 60 nm寬80 nm長的石墨烯元件性質量測 27 3.5 50 nm長 6 nm寬的懸浮石墨烯元件性質量測 32 Chapter 4 結論與未來展望 35 REFERENCE 36

    [1] L. Brey1 and H. A. Fert, PHYSICAL REVIEW B 73, 235411 (2006）.
    [2] A. K. GEIM, K. S.Novoselov ,The rise of graphene, nature(2007).
    [3] H. Castro Neto, F. Guinea, N. M. R. Peres, K. S. Novoselov, and A. K. Geim, Rev. Mod. Phys. 81, 109 （2009）.
    [4] J Hass, W A de Heer and E H Conrad, J. Phys. Condens. Matter 20 323202（2008）.
    [5] P.Ordejon, Phys. Rev. B 66,035412 (2002)
    [6] Kyoko Nakada, Mitsutaka Fujita, G. D. and Dresselhaus, M. S. Phys. Rev. B 54, 24 .（1996）
    [7] Zhihong Chen, Yu-Ming Lin ,M.J.R.P.A. Physics E 40,228(2007)
    [8] Young-Woo Son, Marvin L. Cohern Phys. Rev. Letters 97 ,24 November 2006.
    [9] J.Kezierski , PL. Hsu,A.R.J.K.P.H.P.W. and Keast,C. IEEE Electron Device Lett.30,7(2009).
    [10] http://mnm.physics.mcgill.ca/content/lor-5b-lift-process.
    [11] http://131.229.88.77/microscopy/semvar.html.
    [12] http://www.purdue.edu/ehps/rem/rs/sem.htm.
    [13] Xuesong Li , Weiwei Cai ,Jinho An ,Seyoung Kim ,Junghyo Nah, Dongxing Yang ,Richard Piner , Aruna Velamakanni , Inhwa Jung ,Emanuel Tutuc ,Sanjay K.Banerjee,Luigi Colombo ,Rodney S. Ruoff science ,7 (2009.)
    [14] LXiaochen Dong , Peng Wang , Wenjing Fang , Ching-Yuan Su , Yu-Hsin Chen , Lain-Jong Li , Wei Huang , Peng Chen , Carbon 49 3672- 3678 (2011)
    [15] Farmer, D. B., Golizadeh-Mojarad, R., Perebeinos, V., Lin, Y.-M., Tulevski,G. S., Tsang, J. C., and Avouris, P. , Nano Lett.9 （1）, 388392 JAN （2009）.
    [16] Inanc Meric ,Melinday.Han ,Andrea F.Young, Barbaros ozyilmaz, Philp Kim and Kenneth L .Shepard, Nature Nanotechnology 3, 654 - 659 (2008)..
    [17] Frank schwierz , Nature Nanotechnology 5,487–496(2010).
    [18] Farmer, D. B., Golizadeh-Mojarad, R., Perebeinos, V., Lin, Y.-M., Tulevski,G. S., Tsang, J. C., and Avouris, P. ,Nano Lett.9, 388(2009).
    [19] Melinda Y. Han ,J.C.B and Kim, P. Phys Rev.Lett.104 056801(2010).
    [20] Z. Jianga,b, Y. Zhanga, Y.-W. Tana, H.L. Stormera,c, P. Kima, Solid State Communications 143 14–19(2007).

    下載圖示
    QR CODE