摘要
本文利用拉曼光譜儀來研究 晶體摻 雜質之濃度與聲子變化的關係。
從實驗數據分析中，我們看到摻 雜質之濃度對拉曼光譜聲子的半高寬及波峰位置的影響，其中主要類型有四種：
(1). 波峰位置不隨摻 濃度改變，半高寬隨摻 濃度變大。
(2). 波峰位置隨摻 濃度向低頻移動，半高寬隨摻 濃度變大。
(3). 波峰位置隨摻 濃度向高頻移動，半高寬隨摻 濃度變大。
(4). 波峰位置不隨摻 濃度改變，半高寬先減後增。
我們發現溫度對波峰位置的影響很大，同時，溫度與摻 濃度均會對聲子造成耦合效應；當溫度升高或摻 濃度增加時，258 與279 ，322與335 ，580 與628 ，430 與445 會有合而為一的趨勢。
摻 雜質時，當 濃度在0~3mole% 時， 會取代 ，當濃度在3~5.5mole% 時， 會取代 ，在5.5mole% (threshold)之後， 只取代 ；在摻 之鈮酸鋰的半高寬變化方面，當 濃度在3~4mole% 與7mole%時有明顯不同，即其半高寬有很明顯之三段變化；而 與 均為二價，且 之陰電性比 高，所以我們推測在 濃度為0~3.5mole% 時， 先取代 ，3.5~7mole% 時， 同時取代 及 ，當7mole%(threshold)之後， 只能取代 。

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