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研究生： 顏澤宇
Ze-yu Yen
論文名稱： 硼摻雜在偏壓下對鑽石膜沈積的影響
Study on Bias Growth of Boron Doped Diamond Films
指導教授： 賈至達
學位類別： 碩士
Master
系所名稱： 物理學系
Department of Physics
論文出版年： 2004
畢業學年度： 92
語文別： 中文
論文頁數： 80
中文關鍵詞： 鑽石膜 、硼 、偏壓 、拉曼 、場發射 、微波電漿化學汽相沈積
英文關鍵詞： Diamond, Boron, Bias, Raman, field emission, mpecvd
論文種類： 學術論文
相關次數： 點閱：198  下載：49 
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    • 多晶鑽石薄膜之合成法中，偏壓輔助法能夠快而有效的進行鑽石膜沈積，因此受大部分研究者所親睞。偏壓輔助成長鑽石的研究通常偏好於較高負偏壓下奈米鑽石的尺度較多，相關文獻也較齊全，因此本論文主要以較少人討論的低負偏壓輔助成長來作為研究主題，並試圖加入硼摻雜一起討論研究偏壓輔助成長對場發射的影響。

    目錄 第一章 緒論 1 1-1 簡介 1 1-2 鑽石薄膜的特性 2 1-2-1 碳的結構與性質(Carbon structure and properties) 2 1-2-2 鑽石的特性 3 1-2-3 鑽石的半導體性質 6 1-2-4 鑽石的負電子親和力 8 1-3 鑽石薄膜之合成方法與理論 9 1-3-1 鑽石薄膜之合成方法與理論 9 1-3-2 鑽石結構及相圖 10 1-3-3 鑽石膜成核理論 11 1-3-4 鑽石膜成長理論 14 第二章 實驗步驟及方法 20 2-1 實驗步驟 20 2-1-1 鍍膜系統 20 2-1-2 基材處理 21 2-1-3 鍍膜步驟 21 2-2 研究方法 23 2-2-1 基材準備 23 2-2-2 硼蒸氣製造 23 2-2-3 MPECVD鑽石沈積參數 23 2-2-4 薄膜分析 24 2-2-5 實驗樣品 25 第三章 MPECVD鑽石膜沈積分析 28 3-1 拉曼簡介 28 3-1-1 拉曼散射基本原理 28 3-1-2 拉曼散射應用 30 3-1-3 拉曼散射實驗步驟 32 3-2 拉曼光譜在CVD鑽石膜製程上的分析 33 3-2-1 CVD鑽石膜拉曼分析 33 3-2-2 超音波刮痕輔助成長 35 3-2-3 偏壓輔助成核﹙Bias enhanced nucleation﹚ 37 第四章 研究結果與討論 46 4-1 鑽石膜偏壓成核之研究 46 4-1-1 偏壓對成核的影響 46 4-1-2 氣氛中甲烷濃度對成核的影響 47 4-1-3 Boron對成核的影響 47 4-1-4 鑽石膜偏壓成核研究之討論 48 4-2 不同成核層對鑽石膜自然成長之研究 53 4-2-1 不同偏壓形成的成核層對鑽石膜成長的影响 53 4-2-2 不同甲烷濃度形成的成核層對鑽石膜成長的影响 53 4-2-3 不同Boron濃度形成的成核層對鑽石膜成長的影响 54 4-2-4不同成核層對鑽石膜自然成長研究之討論 55 4-3 鑽石膜偏壓成長之研究 63 4-3-1 偏壓成長之研究and成核時進行硼摻雜之偏壓成長研究 63 4-3-2 偏壓成長時進行硼摻雜之研究 64 第五章 結論 80

    Reference
    [1] J. E. Field, The Properties of Diamonds (Academic, London, 1979).
    [2] Y. Tzeng, M. Yoshikawa, M. Murakawa and Feldman, “The Applications of Diamond Films and Related Materials”, eds, Elsevier, New York, (1991), (ADC).
    [3] Z. H. Huang, P. H. Cutler, N. M. Miskovsky, and T. E. Sullivan, “Caluation of electron field emission from diamond surface”,Revue “Le Vide, Les Couches Minces”-Supplement au No 271-Mars-Avril, pp92 (1994)
    [4] C. Wang, A. Garcia, D. C. Ingram, M. Lake, and M. E. Kordesch, “Cold Field-Emission from CVD Diamond Films Observed in Emission Electron-Microscopy”, Electronics Lett., 27, pp1459 (1991).
    [5] N. S. Xu, R. V. Latham, and Y. Tzeng, “Field-Dependence of the Area-Density of Cold Electron-Emission Sites on Broad-Area CVD Diamond Films”, Electronics Lett., 29, pp1596 (1993).
    [6] A. Modinos, Field, Thermionic, and Secondary electron Emission Spectroscopy, (Plenum, 1984, New York).
    [7] A. L. Lavoisier, Memoire Academie des Science, p. 564 (1882)
    [8] P. W. Bridgman, "Synthetic diamonds", Scient. Am., 193, pp42 (1955).
    [9] W. G. Eversole, U.S. Patent No. 3,030,188, (1962).
    [10] J. C. Angus, H. A. Will and W. S. Stanko, J. Appl. Phys., 39, pp2915 (1968).
    [11] B. V. Spitsyn, L. L. Bouilov, and B. V. Derjaguin, "Vapor growth of diamond on diamond and other surfaces", J. Cryst. Growth, 52, pp219 (1981).
    [12] www.bris.ac.uk/Depts/Chemistry/MOTM/diamond/diamond.htm
    [13] 李聯鑫 清大材科所碩士論文 Study on the Electron Field emission Properties and Conduction Mechanism of boron doped Diamond films
    [14] J. E. Green, S. A. Barnett, J. E. Sundgren and A. Rockett, Plasma-Surface Interactions and Processing of Materials, 281-311(1990).
    [15] Huimin Liu, and David S. Dandy, Diamond Chemical Vapor Deposition, Ｐ.37 (1995)
    [16] Alix Gicquel, Diamond Growth M echanisms in Various Environments , Journal of The Electrochemical Society, 147 (6) 2218-2226 (2000)
    [17] 工研院機械所張延瑜Gas-Phase and Surface Reactions of Diamond Films
    [18] 彭國光 清大材科所博士論文

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