本研究主要是MEM-LEED的實際制作、測試及應用。
傳統觀察晶體表面原子排列的方法有二：一為電子顯微鏡，直接觀測晶體表面結構：
二為利用低能電子繞射原理觀測倒數空間，再由倒數空間轉換為實數空間。MEM-LEED
(Mirror Dlectron Microscopy-Low Energy Diffraction) 即利用靜電透鏡的焦聚改
變, 而將MEM 之鏡式電子顯微鏡與LEED之低能電子繞射結合在一起。
LEED-mode 是利用低能電子對晶體表面原子排列作繞射, 而產生倒數空間(Reciproc-
al Space) 的圖形, 而後再利用矩陣運算轉換實數空間(Real Space)中原子真實排列
狀錶。MEM-mode是控制樣品(Sample)表面的電位, 使其略小於電子槍射出來的電子的
電位, 這樣電子將接觸樣品表面而未接觸, 此時電子接近樣品表面時速度很小, 非常
容易受樣品表面凹凸不平的等位面的影響, 而在螢幕(Screen)上產生明暗的影像。如
果控制樣品表面的電位, 使其略大於電子鎗射出來的電子的電位, 則電子就接觸樣品
了。利用這個原理, 我使用MEM-mode偵測170k下H 吸附Pt(110)-1×2時的表面功函數
的變化量ΔΦ隨H 吸附Pt(110)-1×2的覆蓋率θ的增加而遞減。
我使用TDS(Thermal Desorption Spectroscopy)探討H /Pt(110-1×2在不同的暴氣率
L(1L=1×10 torr.sec) 與覆蓋率θ的關係及ΔΦ與θ的關係。TDS 的實驗中得到H
/Pt(110)-1×2 的退吸過程有β 與β 兩個尖峰(Peak)。β 是二階退吸以氫原子
形式吸附, β 是一階退吸以氫分子形式吸附, 其中β 的退能量為6.5kcal/mole (
吸附溫度為170K)。