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研究生: 王建達
論文名稱: 使用磁控濺鍍在氧化鎂階梯式基座上製作高溫超導量子干涉元件
Institute of Electro-Optical Science and TechnologyNational Taiwan Normal University
指導教授: 洪姮娥
學位類別: 碩士
Master
系所名稱: 光電工程研究所
Graduate Institute of Electro-Optical Engineering
論文出版年: 2012
畢業學年度: 100
語文別: 中文
論文頁數: 44
中文關鍵詞: 高溫超導量子干涉元件
英文關鍵詞: SQUID
論文種類: 學術論文
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  • 本實驗階梯式高溫超導磁量計,是利用磁控濺鍍方法,將釔鋇銅氧(YBa2Cu3O7)薄膜,成長於氧化鎂(10 mm×10 mm)之階梯式基座上。利用曝光、顯影、氬離子蝕刻等半導體技術來製作。一開始使用階梯角度35°、45°、55°、65°的MgO基座,階梯高度在300 nm,在將MgO階梯基座鍍上臨界溫度可以到達86 K以上的釔鋇銅氧(YBa2Cu3O7-x)超導薄膜,薄膜厚度約150 nm,SQUID線寬為3 μm、4 μm、5 μm。再把SQUID樣品放置於低溫恆溫器,降溫於液態氮中之後再配合電路及量測儀器等來檢查我們做出來的SQUID特性。將每個階梯基座角度的I-V及V-Φ特性,做比較試圖找出特性最佳的階梯基座角度以及SQUID的線寬,再將薄膜厚度提升至200 nm後,以離子蝕刻的方式將薄膜厚度從200 nm降低,為了比較不同薄膜厚度的所量測的I-V及V-Φ特性。

    本論文我們試圖研究探討不同角度的MgO階梯式基座,及不同角度的MgO階梯式基座所製作出的超導量子干涉元件的特性去做比較。希望能製作出V-Φ特性的Vpp訊號和雜訊能夠在NMR系統上使用。

    摘要......................................................1 第一章 序論...............................................2 第二章 樣品製作方式 2-1階梯式基座製作.................................4 2-2高溫超導薄膜成長..............................14 2-3階梯式高溫超導量子干涉元件製作................18 第三章 高溫超導量子干涉原件量測訊號結果 3-1電性量測系統...................................22 3-2高溫超導磁量計之特性量測.......................25 第四章 結論..............................................41 參考資料..........................................42 致謝..............................................44

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