在超高真空的環境下(<10-10 Torr),藉由掃描穿隧顯微鏡(STM)觀察鈷原子島成長的行為。為了阻隔鈷與鍺形成合金,先在鍺的表面鍍上一原子單層的銀,並加熱使其形成(√3×√3)的穩定重構,利用分子束蒸鍍鎗在其表面成長鈷的磁性薄膜。蒸鍍上1.4 ML、2.1ML、2.8 ML、3.5 ML、4.2 ML及4.9 ML的鈷並經加熱退火至400 ℃,即成功地發現鈷原子在表面上形成週期性之二維原子島。當鈷原子鍍量不同時,鈷島的成長模式將有不一樣的行為;且隨著鍍量增加,鈷原子島的成長會由二維成長轉變成三維成長。我們也發現,三十五層以上的鈷原子島重構依舊會維持2x2的結構,顯示出鍺基底對於鈷原子島的作用力很大,也代表T4 site 成長為2x2結構比1x1更利。而比較加熱退火至不同的溫度的情況,在低鍍量時鈷原子島面積的成長與溫度成正比關係;若鈷鍍量超過3.5 ML時,鈷原子面積成長將趨於平緩。對週期為2x2的鈷原子島,其成長是一層伴隨著一層地,發現層與層之間的成長有三種方向。
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