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| 研究生： |
傳淑敏 Zhuan, Shu-Min |
|---|---|
| 論文名稱： |
氯化鉀溴化鉀混合單晶之成長與錯位分析 |
| 指導教授： |
王婉美
Wang, Wan-Mei |
| 學位類別： |
碩士 Master |
| 系所名稱： |
物理學系 Department of Physics |
| 畢業學年度： | 69 |
| 語文別： | 中文 |
| 中文關鍵詞： | 氯化鉀 、溴化鉀 、混合單晶 、錯位 、化學拋光 、化學蝕刻 、蝕刻 、物理 |
| 英文關鍵詞： | (CHEMICAL POLISHING), (CHEMCOAL ETCHING), PHYSICS |
| 論文種類： | 學術論文 |
| 相關次數： | 點閱：126 下載：0 |
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本文首先利用Bridgman-Seockbarger方法生長某一比例之Kcl-KBr 混合單晶, 選取相
同生長條件的三組, 分別經由化學拋光(Chemical polishing)法處理晶面, 然後利用
化學蝕刻(Chemcoal etching)法蝕刻晶體, 藉著金相顯微鏡(metallurgical micrcop
e)觀測其錯位分佈之情形, 依晶體之不同高度, 參照Waring之方法, 每組分別取160
個數據, 計算錯位之密度大小, 發現其與晶體之生長高度有關, 二者呈正比關係, 而
錯位之分佈則趨向於一叢叢集狀, 並且, 對不同之蝕刻過程亦做一番比較。至於所生
長之晶體是否為單晶, 則是利用X 射線繞射之勞埃方法(Lane method) 照相, 得一亮
點分佈之圖樣而確定, 另外, 由勞埃圖樣具90度角之對稱性, 可推算出本實驗中蝕刻
之晶面為(100) 面, 亦即晶體易切開面。
