純鈦酸鋇陶瓷是一絕緣體當摻入過渡元素或稀士元素則會降低室溫電阻成一半導體，
且當溫度高於居里溫度（Curie poinr ～１２０℃）電阻會急劇地升高，此為鈦酸鋇
陶瓷的PTCR（Positive temperature coefficient of resistivity ）。我們以Ｓｂ
＝０，０．２，０．３，０．４，０．５，０．７at％摻入鈦酸鋇陶瓷測其電性
。發現除Ｓｂ＝０．５at％室溫電阻降低，而其他電性則較接近，所以我們選擇
Ｓｂ＝０，０．４，０．５，０．７at％的試片作室溫的康普吞攝像及Ｓｂ
＝０，０．５at％試片作１７０°±３℃的康普吞攝像。
康普吞攝像即是電子動量在散射方向的投影量。我們以強度為１００Ci能量為６６２
Ker 的γ一射線作康普吞散射實體，探測當銻含量增加時室溫阻抗和康普吞攝像變化
關係及溫度在１７０℃時晶體結構和阻抗與康普吞攝像變化的關係。由實驗結果顯示
當銻含量增加時室溫阻抗變高可能是因在晶體的取代式即（Ｂａ Ｓｂ （Ｔｉ
Ｔｉ ）Ｏ）不只一種，可能有二種或三種以上即（Ｂａ Ｓｂu （Ｓｂ ） ）。且當溫
Ｓｂ Ｔｉ Ｔｉ ）Ｏ）。且當溫度＝１７０°±３℃時晶體結構
和電子結構亦會影響電子動量的分布。