研究生: |
林旻宏 |
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論文名稱: |
雙晶體陣列式SQUID磁量計製作與特性研究 |
指導教授: | 楊鴻昌 |
學位類別: |
碩士 Master |
系所名稱: |
光電工程研究所 Graduate Institute of Electro-Optical Engineering |
論文出版年: | 2011 |
畢業學年度: | 99 |
語文別: | 中文 |
論文頁數: | 52 |
中文關鍵詞: | 超導量子干涉元件 |
論文種類: | 學術論文 |
相關次數: | 點閱:127 下載:0 |
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我們使用 1 cm × 1 cm × 1 mm 大小的雙晶(bicrystal) 鈦酸鍶基板,利用離軸式脈衝雷射沉積法來鍍製高溫超導薄膜,材料為釔鋇銅氧,我們可以穩定製作出良好之高溫超導薄膜,臨界溫度高於 89k,這對於製作高溫超導量子干涉元件( Superconducting Quantum Interference Devices,SQUID)是很重要的因素。
在本論文中,我們成功製作出可供覆蓋式墊圈(flip-chip) 使用之雙晶式高溫超導直接耦合磁量計,我們總共設計6個 SQUID 在圖形中,其目的是要增加製作的成功率,避免因為單一個SQUID 的約瑟芬接面(Josephson junction) 失敗,而造成整個樣品的失敗。
最後我們製作出來的磁量計單個 SQUID 的 IcRn 值約為 62.5 μV~74.25 μV之間,而Vpp 值約為4 μV ~11 μV上下,而 SQUID 的有效面積大約在0.11 mm2 左右。
而在未來展望部分我們以斜面式(ramp-edge)約瑟芬接面的 SQUID 磁量計製程來做探討,設計出一組由 5 顆SQUID 所串聯而成的直接耦合式磁量計,期望能提高 SQUID 的敏感度,並廣泛應用在 MEG 和 MCG 的研究上。
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