利用離子佈植在高阻值砷化鎵基板上形成–n– 型活化層, 是目前制作微波元件所常
用的方法。我們採用1×10 cm 的矽摻雜劑量, 以變能量150kev及80kev 分別植入
於高阻值基板, 期望矽原子會很均勻地布植在0.3 微米的表層厚度里。為了維持高載
體遷移率的特性, 900 ℃的高溫退火過程是有必要的, 所以適當的在晶層表面被覆一
層保護膜(3000埃Si N ＋3000埃Si O )是使用離子佈植方法的一個重要步驟! 我們
分別以光學方法( 橢圓偏光測試儀, 紅外光的極大反射) 和電性測試(van der Pauw
霍爾效應, 電容一電壓方法) 對植入層予以正確地特性分析, 將這些不同量測方法所
得之結果作一參照比較, 並且就不同測試方法的適用性及其產生的誤差亦作一適切的
討論。尤以光學方法對材料本身不具破壞性, 對於表面晶層亦能提供快速而正確的數
據, 故深具實用性, 值得我們作更進一步的推廣!
依照我們的處理步驟與分析結果, 目前可以獲得尖峰值～4×10 cm 的電子載體濃
度, 遷移率～3000 cm ／v-sec 退火活化率可達68％～74％。而退火過程的有效程度
, 我們可從晶層表面的光性係數變化得以印證。另外在高溫時, 鉻摻雜半絕緣性基板
對植入活化層所造成的逆效應要本文中也提出討論!