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| 研究生： |
王文英 Wang, Wen-Ying |
|---|---|
| 論文名稱： |
二氧化錫修飾電極之電化學性質研究 |
| 指導教授： |
王忠茂
Wang, Chong-Mou |
| 學位類別： |
碩士 Master |
| 系所名稱： |
化學系 Department of Chemistry |
| 畢業學年度： | 86 |
| 語文別： | 中文 |
| 中文關鍵詞： | 等效電路 、電化學 、二氧化錫薄膜 、循環伏安法 、定電位安培法 |
| 論文種類： | 學術論文 |
| 相關次數： | 點閱：195 下載：0 |
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本論文以電化學技術，分析二氧化錫薄膜的性質，並嘗試以不同方式將二氧化錫鋪
設於導電材質上，其中實驗顯示化學凝膠法所獲得約二氧化錫薄膜，其穩定性較佳
。本論文也以電化學方法偵測這些電極，發現二氧化錫含量愈多，電子傳遞的阻礙
也愈大。循環伏安法及定電位安培法研究顯示: 電流隨二氧化錫膜厚增加而降低;
交流阻抗研究顯示電極上電荷轉移電阻隨膜厚增加而增加。等效電路[R(CR(CR))C]
模擬與動力學分析與實驗結果相當吻合，並可得到合理的分析結果。電化學石英振
盪天平偵測結果暗示二氧化錫薄膜隨外加電位及溶劑的改變可發生水分子的吸附或
脫附反應，並造成質量不可逆的改變，例如，二氧化錫晶格中殘存的水分子，可在
高電位下脫附。此外，二氧化錫薄膜本身並不穩定，例如當浸置於水溶液中時，可
發現待測氧化還原對之擴散係數隨之漸增。
